vincent's notes

http://tomtom.sp88.com/ 原本以為MapShare只能分享POI，想不到還可以把沒有在地圖上的道路畫出來，真的設計的非常的好，又跟對手拉大距離了，不知道有沒有patend保護?

英代爾 (Intel) 所主導 ONFI(Open NAND Flash Interface) 聯盟，遲遲等不到 NAND Flash 市場老大哥三星電子 (Samsung Electronics) 和東芝 (Toshiba) 點頭加入，如今希望更渺茫，東芝內部正開發 LBA(Logical Block Addressing) 介面規格，有機會比 ONFI 聯盟更早一步問世，業界甚至傳出三星與東芝攜手支援 LBA 規格機率相當高，屆時全球 NAND Flash 產業將形成英代爾 ONFI 陣營力抗三星及東芝 LBA 陣營的局面！ 東芝一直是 NAND Flash 技術領先者，這次提出 LBA 規格，已傳出三星將與其簽署合約，共同量產此規格產品。記憶體業者表示，若是三星確定支持東芝， NAND Flash 產業將形成英代爾所主導 ONFI 陣營，全力對抗三星與東芝 LBA 陣營局勢，且以目前態勢來看， NAND Flash 產業走到 50 奈米制程以下及內嵌式市場，介面規格愈益重要，而以龍頭廠自居的三星，為英代爾抬轎機率相當小，選擇與東芝攜手機率則很高。惟三星 對此表示，針對各種 NAND Flash 介面規格，目前內部仍在密切觀察中。 值得注意的是，由於東芝在 NAND Flash 技術能力領先， LBA 規格幾乎是獨自開發出來，不像 ONFI 聯盟般四處招兵買馬，因此， LBA 詳細的規格設計內容，在記憶體控制 IC 業界已成為 人人都想取得的「武林秘笈」，各家控制 IC 業者都想提前拿到規格，以期在第一時間推出可支援產品。 此外，東芝內部所開發 LBA 介面 NAND Flash 技術，系讓系統直接下邏輯位址，每 1 個儲存單位分配 1 個獨特位址編碼，因此，未來若 NAND Flash 制程和容量提升，只需將編號向後延續，且此規格對於錯誤矯正 (Error Correcting Code ； ECC) 和讀寫功能處理效率較高，當 NAND Flash 制程技術走向 50 奈米以下時幫助相當大。 事實上，最後不論是 ONFI 或 LBA 規格勝出，其目的都是在減少控制 IC 在處理 NAND Flash 複雜度，在 50 奈米制程世代，錯誤矯正需要到 8bit 能力，控制 IC 功能已處理得相當辛苦，未來