看到這個新聞，尤其是最後一段(藍色部份)，我在想，將來新產品開發的時候是否應該開始考慮內含controller的MLC solution(MoviNand/LBA-NAND/iNAND)了呢? 還是為了避免小小的cost up而去承擔NAND Flash世代交替，舊製程停產後Flash Driver需要再改寫，並須要再經過冗長的測試驗證，採購要重新議價，BOM表要修改....等等等等，拉長量產時程不確定的風險? ====================================================== 東芝拔頭籌 直逼三星龍頭寶座 東芝近年來在NAND Flash領域發展十分積極，不但在2007年第4季率先量產56奈米製程NAND Flash，為各大廠中最快進入50奈米製程世代者，現在又領先其他競爭者1步，在2008年第2季結束前量產43奈米製程NAND Flash，開啟40奈米製程世代首頁。 在產能擴充上，東芝也持續其既定腳步，不因2008年上半的市況低迷而退縮，東芝目前單月產能已達8萬片(以12吋晶圓計)，預估2008年底可達11萬片的月產能水準，至2009年第1季時，更可進一步提升至15萬片月產能。 東芝目前56奈米NAND Flash佔總NAND Flash出貨量比重達90%以上，43奈米新製程導入後，也將視製程轉換情形逐步提高其比重。東芝計劃在2008年第4季時，將43奈米NAND Flash出貨量比重提升到50%，並計劃到2009年第1季時，該比重可超過90%，取代56奈米成為東芝主流製程，以進一步提升成本競爭力。 相較於東芝的積極，身為NAND Flash晶片龍頭的三星也不甘示弱，宣布其42奈米NAND Flash亦將於2008年第3季正式量產，且目前已經完成送樣，不會落後東芝太多。 三星42奈米NAND Flash，採用的是其自創的CTF(Charge Trap Flash)技術，三星表示此技術可用於一向被業界視為極限的45奈米以下製程，目前與CTF相關的技術專利已多達155項，希望能取代過去由東芝所創的浮動閘(Floating Gate)技術，除可藉由更先進技術降低NAND Flash生產成本，亦可省去需支付給東芝浮動閘技術的專利權利金，以進一步提升獲利。 三星從60奈米製程世代開始，量產動作雖總較東芝慢1~3個月，然三星憑藉著
