Toshiba & Samsung & LBA-NAND
英代爾(Intel)所主導ONFI(Open NAND Flash Interface) 聯盟，遲遲等不到NAND Flash市場老大哥三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)點頭加入，如今希望更渺茫，東芝內部正開發LBA(Logical Block Addressing)介面規格，有機會比ONFI聯盟更早一步問世，業界甚至傳出三星與東芝攜手支援LBA規格機率相當高，屆時全球NAND Flash產業將形成英代爾ONFI陣營力抗三星及東芝LBA陣營的局面！
東芝一直是NAND Flash技術領先者，這次提出LBA規格，已傳出三星將與其簽署合約，共同量產此規格產品。記憶體業者表示，若是三星確定支持東芝，NAND Flash產業將形成英代爾所主導ONFI陣營，全力對抗三星與東芝LBA陣營局勢，且以目前態勢來看，NAND Flash產業走到50奈米制程以下及內嵌式市場，介面規格愈益重要，而以龍頭廠自居的三星，為英代爾抬轎機率相當小，選擇與東芝攜手機率則很高。惟三星 對此表示，針對各種NAND Flash介面規格，目前內部仍在密切觀察中。
值得注意的是，由於東芝在NAND Flash技術能力領先，LBA規格幾乎是獨自開發出來，不像ONFI聯盟般四處招兵買馬，因此，LBA詳細的規格設計內容，在記憶體控制IC業界已成為 人人都想取得的「武林秘笈」，各家控制IC業者都想提前拿到規格，以期在第一時間推出可支援產品。
此外，東芝內部所開發LBA介面 NAND Flash技術，系讓系統直接下邏輯位址，每1個儲存單位分配1個獨特位址編碼，因此，未來若NAND Flash制程和容量提升，只需將編號向後延續，且此規格對於錯誤矯正(Error Correcting Code；ECC)和讀寫功能處理效率較高，當NAND Flash制程技術走向50奈米以下時幫助相當大。
事實上，最後不論是ONFI或LBA規格勝出，其目的都是在減少控制IC在處理NAND Flash複雜度，在50奈米制程世代，錯誤矯正需要到8bit能力，控制IC功能已處理得相當辛苦，未來進入45奈米制程後，問題將更嚴重，恐影響 NAND Flash導入終端產品速度，這亦是各家大廠都亟欲開發介面規格的原因之一。
記憶體業者指出，其實ONFI和LBA規格相當類似，概念是一樣的，只是在處理方式相異，ONFI系英代爾於2006年中正式對外宣佈，而東芝內部開發 LBA規格亦已有一段時間，且東芝動作比較快，現在規格都大致確定，2007年下半可正式量產，至於ONFI介面雖已發展至ONFI 2.0版本，但最後規格還未確定。
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