NAND Flash 新聞的感想
看到這個新聞，尤其是最後一段(藍色部份)，我在想，將來新產品開發的時候是否應該開始考慮內含controller的MLC solution(MoviNand/LBA-NAND/iNAND)了呢? 還是為了避免小小的cost up而去承擔NAND Flash世代交替，舊製程停產後Flash Driver需要再改寫，並須要再經過冗長的測試驗證，採購要重新議價，BOM表要修改....等等等等，拉長量產時程不確定的風險?
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東芝拔頭籌 直逼三星龍頭寶座
東芝近年來在NAND Flash領域發展十分積極，不但在2007年第4季率先量產56奈米製程NAND Flash，為各大廠中最快進入50奈米製程世代者，現在又領先其他競爭者1步，在2008年第2季結束前量產43奈米製程NAND Flash，開啟40奈米製程世代首頁。
在產能擴充上，東芝也持續其既定腳步，不因2008年上半的市況低迷而退縮，東芝目前單月產能已達8萬片(以12吋晶圓計)，預估2008年底可達11萬片的月產能水準，至2009年第1季時，更可進一步提升至15萬片月產能。
東芝目前56奈米NAND Flash佔總NAND Flash出貨量比重達90%以上，43奈米新製程導入後，也將視製程轉換情形逐步提高其比重。東芝計劃在2008年第4季時，將43奈米NAND Flash出貨量比重提升到50%，並計劃到2009年第1季時，該比重可超過90%，取代56奈米成為東芝主流製程，以進一步提升成本競爭力。
相較於東芝的積極，身為NAND Flash晶片龍頭的三星也不甘示弱，宣布其42奈米NAND Flash亦將於2008年第3季正式量產，且目前已經完成送樣，不會落後東芝太多。
三星42奈米NAND Flash，採用的是其自創的CTF(Charge Trap Flash)技術，三星表示此技術可用於一向被業界視為極限的45奈米以下製程，目前與CTF相關的技術專利已多達155項，希望能取代過去由東芝所創的浮動閘(Floating Gate)技術，除可藉由更先進技術降低NAND Flash生產成本，亦可省去需支付給東芝浮動閘技術的專利權利金，以進一步提升獲利。
三星從60奈米製程世代開始，量產動作雖總較東芝慢1~3個月，然三星憑藉著其強大的產能，仍能維持住其營收與市佔率的龍頭寶座，不過三星在2008年第1季的市佔率，已由2007年第4季的41%衰退至39.6%，面對東芝市佔由2007年第4季的22.3%大幅提升至26.4%，三星的壓力可想而知。
海力士48奈米量產延宕 已然錯失領先機會
海力士於2007年底宣布將於2008年初量產48奈米製程NAND Flash時，著實讓業界大吃一驚，也讓其他NAND Flash業者捏了一把冷汗。然雷聲大雨點小，海力士因其主流57奈米製程NAND Flash的成本結構尚不具競爭力而影響銷售，連帶導致48奈米製程NAND Flash的正式量產時間從原先對外宣布的2008年1月一再延宕，至2008年6月底才開始量產，平白錯失與競爭者拉大差距的大好機會。
由於2008年初以來的NAND Flash價格大幅下跌，使得海力士受傷不輕，2008年第1季的市佔率也較2007年第4季的20.8%下滑至17.5%，為提升整體獲利，海力士除已於2008年第1季逐漸停產較不具成本競爭力的57奈米製程NAND Flash，亦加緊腳步實現48奈米製程NAND Flash的量產計畫，試圖降低NAND Flash的生產成本。
在40奈米製程以下世代的競局中，雖海力士的製程轉換進度總算沒有再度落後其競爭者，然在技術上，面對東芝的43奈米製程與三星的42奈米製程，以及IM Flash的34奈米製程，海力士的48奈米製程仍有一小段差距，加上產能逐漸縮減，能否在40奈米製程階段維持其NAND Flash市佔第3的位子，業界都在看。
IM Flash製程大躍進 捨40奈米直接轉進30奈米
由英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash，在進入50奈米製程之後，製程研發與量產的腳步愈趨積極，在三星與東芝宣布即將量產40奈米製程NAND Flash的同時，IM Flash亦對外表示將以34奈米製程量產32Gb的MLC (Multi-Level Cell)型NAND Flash，以與三星及東芝一較高下。
IM Flash的34奈米NAND Flash由英特爾與美光共同研發，已於6月底送樣，並預計於2008年第3季正式進入量產，初期以生產32Gb的MLC型NAND Flash為主，至於SLC型NAND Flash，則會在2008年底前進入量產。
相較於其他競爭者均按部就班從50奈米製程轉進40奈米製程，IM Flash選擇跳過40奈米製程，直接由30奈米製程切入，冀望藉由更先進的製程技術來提升其成本競爭力，以搶攻更多的NAND Flash市佔。
結合英特爾與美光之力的IM Flash，近1年來在營收與市佔率方面皆有進展，其2008年第1季合併市佔率已達13.3%，較2007年第4季的12.2%呈正成長，且與海力士的2008年第1季市佔率17.5%相比，差距已愈來愈小。
段標：NAND Flash隨製程快速演進 控制IC支援能力更顯重要
2008年初各大廠才陸續完成50奈米的轉進，使其成為主流製程，才半年的時間，便又開始40與30奈米製程的轉換，待各廠新製程產品量產後，2008年NAND Flash市場上將同時有4種製程的產品在市面上流動，包括屬於舊製程的60奈米NAND Flash、屬於目前主流製程的50奈米NAND Flash，以及新製程的40與30奈米NAND Flash。
由於各NAND Flash大廠製程並不相同，與終端產品的相容程度亦不一致，管理上將愈來愈複雜，因此，控制IC的支援能力將愈顯重要，如何管理不同製程的NAND Flash晶片，讓不同廠牌的NAND Flash皆可相容於特定終端產品，避免終端產品基於成本或效能考量必須改用別款NAND Flash晶片時，發生終端產品與NAND Flash晶片不相容情形，將是控制IC業者在設計控制IC晶片時的一大挑戰。
此外，隨著NAND Flash製程不斷微縮，晶片尺寸與晶片內電子可活動的空間也愈來愈小，導致電子間的干擾情形愈顯頻繁，進而影響NAND Flash晶片的穩定度與耐用度，此為NAND Flash先天的物理限制，且此情形在MLC NAND Flash較SLC NAND Flash更嚴重，因此MLC NAND Flash控制IC較SLC NAND Flash控制IC需要更強的支援能力。
過去在60奈米製程之前，MLC NAND Flash因主要用在隨身碟與記憶卡等產品，其ECC除錯能力約在4位元(bit)即可支應，然隨NAND Flash製程演進至50奈米，支援MLC NAND Flash的控制IC必須能做到1次糾正8~12位元錯誤的能力，未來NAND Flash製程進入40奈以下後，則必須進一步演進至1次糾正12~24位元錯誤能力，以配合NAND Flash晶片的世代演進。
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東芝拔頭籌 直逼三星龍頭寶座
東芝近年來在NAND Flash領域發展十分積極，不但在2007年第4季率先量產56奈米製程NAND Flash，為各大廠中最快進入50奈米製程世代者，現在又領先其他競爭者1步，在2008年第2季結束前量產43奈米製程NAND Flash，開啟40奈米製程世代首頁。
在產能擴充上，東芝也持續其既定腳步，不因2008年上半的市況低迷而退縮，東芝目前單月產能已達8萬片(以12吋晶圓計)，預估2008年底可達11萬片的月產能水準，至2009年第1季時，更可進一步提升至15萬片月產能。
東芝目前56奈米NAND Flash佔總NAND Flash出貨量比重達90%以上，43奈米新製程導入後，也將視製程轉換情形逐步提高其比重。東芝計劃在2008年第4季時，將43奈米NAND Flash出貨量比重提升到50%，並計劃到2009年第1季時，該比重可超過90%，取代56奈米成為東芝主流製程，以進一步提升成本競爭力。
相較於東芝的積極，身為NAND Flash晶片龍頭的三星也不甘示弱，宣布其42奈米NAND Flash亦將於2008年第3季正式量產，且目前已經完成送樣，不會落後東芝太多。
三星42奈米NAND Flash，採用的是其自創的CTF(Charge Trap Flash)技術，三星表示此技術可用於一向被業界視為極限的45奈米以下製程，目前與CTF相關的技術專利已多達155項，希望能取代過去由東芝所創的浮動閘(Floating Gate)技術，除可藉由更先進技術降低NAND Flash生產成本，亦可省去需支付給東芝浮動閘技術的專利權利金，以進一步提升獲利。
三星從60奈米製程世代開始，量產動作雖總較東芝慢1~3個月，然三星憑藉著其強大的產能，仍能維持住其營收與市佔率的龍頭寶座，不過三星在2008年第1季的市佔率，已由2007年第4季的41%衰退至39.6%，面對東芝市佔由2007年第4季的22.3%大幅提升至26.4%，三星的壓力可想而知。
海力士48奈米量產延宕 已然錯失領先機會
海力士於2007年底宣布將於2008年初量產48奈米製程NAND Flash時，著實讓業界大吃一驚，也讓其他NAND Flash業者捏了一把冷汗。然雷聲大雨點小，海力士因其主流57奈米製程NAND Flash的成本結構尚不具競爭力而影響銷售，連帶導致48奈米製程NAND Flash的正式量產時間從原先對外宣布的2008年1月一再延宕，至2008年6月底才開始量產，平白錯失與競爭者拉大差距的大好機會。
由於2008年初以來的NAND Flash價格大幅下跌，使得海力士受傷不輕，2008年第1季的市佔率也較2007年第4季的20.8%下滑至17.5%，為提升整體獲利，海力士除已於2008年第1季逐漸停產較不具成本競爭力的57奈米製程NAND Flash，亦加緊腳步實現48奈米製程NAND Flash的量產計畫，試圖降低NAND Flash的生產成本。
在40奈米製程以下世代的競局中，雖海力士的製程轉換進度總算沒有再度落後其競爭者，然在技術上，面對東芝的43奈米製程與三星的42奈米製程，以及IM Flash的34奈米製程，海力士的48奈米製程仍有一小段差距，加上產能逐漸縮減，能否在40奈米製程階段維持其NAND Flash市佔第3的位子，業界都在看。
IM Flash製程大躍進 捨40奈米直接轉進30奈米
由英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash，在進入50奈米製程之後，製程研發與量產的腳步愈趨積極，在三星與東芝宣布即將量產40奈米製程NAND Flash的同時，IM Flash亦對外表示將以34奈米製程量產32Gb的MLC (Multi-Level Cell)型NAND Flash，以與三星及東芝一較高下。
IM Flash的34奈米NAND Flash由英特爾與美光共同研發，已於6月底送樣，並預計於2008年第3季正式進入量產，初期以生產32Gb的MLC型NAND Flash為主，至於SLC型NAND Flash，則會在2008年底前進入量產。
相較於其他競爭者均按部就班從50奈米製程轉進40奈米製程，IM Flash選擇跳過40奈米製程，直接由30奈米製程切入，冀望藉由更先進的製程技術來提升其成本競爭力，以搶攻更多的NAND Flash市佔。
結合英特爾與美光之力的IM Flash，近1年來在營收與市佔率方面皆有進展，其2008年第1季合併市佔率已達13.3%，較2007年第4季的12.2%呈正成長，且與海力士的2008年第1季市佔率17.5%相比，差距已愈來愈小。
段標：NAND Flash隨製程快速演進 控制IC支援能力更顯重要
2008年初各大廠才陸續完成50奈米的轉進，使其成為主流製程，才半年的時間，便又開始40與30奈米製程的轉換，待各廠新製程產品量產後，2008年NAND Flash市場上將同時有4種製程的產品在市面上流動，包括屬於舊製程的60奈米NAND Flash、屬於目前主流製程的50奈米NAND Flash，以及新製程的40與30奈米NAND Flash。
由於各NAND Flash大廠製程並不相同，與終端產品的相容程度亦不一致，管理上將愈來愈複雜，因此，控制IC的支援能力將愈顯重要，如何管理不同製程的NAND Flash晶片，讓不同廠牌的NAND Flash皆可相容於特定終端產品，避免終端產品基於成本或效能考量必須改用別款NAND Flash晶片時，發生終端產品與NAND Flash晶片不相容情形，將是控制IC業者在設計控制IC晶片時的一大挑戰。
此外，隨著NAND Flash製程不斷微縮，晶片尺寸與晶片內電子可活動的空間也愈來愈小，導致電子間的干擾情形愈顯頻繁，進而影響NAND Flash晶片的穩定度與耐用度，此為NAND Flash先天的物理限制，且此情形在MLC NAND Flash較SLC NAND Flash更嚴重，因此MLC NAND Flash控制IC較SLC NAND Flash控制IC需要更強的支援能力。
過去在60奈米製程之前，MLC NAND Flash因主要用在隨身碟與記憶卡等產品，其ECC除錯能力約在4位元(bit)即可支應，然隨NAND Flash製程演進至50奈米，支援MLC NAND Flash的控制IC必須能做到1次糾正8~12位元錯誤的能力，未來NAND Flash製程進入40奈以下後，則必須進一步演進至1次糾正12~24位元錯誤能力，以配合NAND Flash晶片的世代演進。
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